toshiba field effect transistor silicon n-channel mos type (p-mosvi)
switching regulator applications
- drain-source voltage vdss 600 v
- drain-gate voltage (rgs = 20 ko) vdgr 600 v
- gate-source voltage vgss ñ30 v
- drain current pulse (t = 1 ms) (note 1) idp 24a
- drain power dissipation (tc = 25ðc) pd 40 w
- avalanche current iar 6 a
- repetitive avalanche energy (note 3) ear 4 mj
- channel temperature tch 150 ðc
- storage temperature range tstg -55 to 150 ðc
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