field effect transistor silicon n channel mos type (p-mosvi)
switching regulator applications
- low drain-source on resistance: rds (on) = 3.3 ? (typ.)
- high forward transfer admittance: |yfs| = 1.6 s (typ.)
- low leakage current: idss = 100 õa (vds = 600 v)
- enhancement mode: vth = 2.0 to 4.0 v (vds = 10 v, id = 1 ma)
- drain-source voltage vdss 600 v
- drain-gate voltage (rgs = 20 ko) vdgr 600 v
- gate-source voltage vgss ñ30 v
- drain current dc (note 1) id 2a
- drain current pulse (note 1) idp 5a
- drain power dissipation (tc = 25ðc) pd 25 w
- channel temperature tch 150 ðc
- storage temperature range tstg -55150 ðc
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- low drain-source on resistance: rds (on) = 3.3 ? (typ.)
- high forward transfer admittance: |yfs| = 1.6 s (typ.)
- low leakage current: idss = 100 õa (vds = 600 v)
- enhancement mode: vth = 2.0 to 4.0 v (vds = 10 v, id = 1 ma)
- drain-source voltage vdss 600 v
- drain-gate voltage (rgs = 20 ko) vdgr 600 v
- gate-source voltage vgss ñ30 v
- drain current dc (note 1) id 2a
- drain current pulse (note 1) idp 5a
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